半導体記憶装置およびその駆動方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-244061
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060083
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】従来のDRAMでは半導体記憶装置の微細化に伴って、記憶素子の記憶保持時間の減少やソフトエラーなどの信頼性面に課題を生じる。このため記憶容量にも限界が見えてきている。またリフレッシュ動作を頻繁に行うため消費電力が大きい課題も有している。【解決手段】ソース拡散層112とドレイン拡散層113とその間にゲート電極114を有し、ドレイン拡散層113に電荷保持部として固体電解質二次電池120を接続している。電池が発生する電圧を情報記憶に用いるため、記憶素子の形状やサイズに依存せず、かつ一つの記憶素子内に複数の情報を記憶することが可能となり、リフレッシュ動作の回数が大幅に減らせ、消費電力の低下も図れる。

請求項（抜粋）：

ソース拡散層とドレイン拡散層とその間にゲート電極を有し、ドレイン拡散層に接続して電荷保持部を有する半導体記憶装置であって、前記電荷保持部が固体電解質二次電池からなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01M 10/40

FI (2件)：

H01M 10/40 B , H01L 27/10 321

Fターム (18件)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083KA05 , 5F083PR03 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR36 , 5H029AJ03 , 5H029AK03 , 5H029AL06 , 5H029AL07 , 5H029AL12 , 5H029AM12 , 5H029BJ00 , 5H029DJ00

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