特許

J-GLOBAL ID：200903026263613397

円偏光ミラ-

発明者： 岩本 博実
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-355584
公開番号（公開出願番号）：特開平6-186420
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 炭酸ガスレ-ザ-光を円偏光に変えるミラ-は誘電体多層膜と金属層の付着力が不十分であった。ために機械的な接触により損傷を受けることが多い。また層の厚み誤差に対する余裕、光源の波長変動に対する余裕が乏しかった。【構成】 シリコンSiまたは銅Cuの基板上に、0.03μmのCr層、0.3μmのAu、Ag層、0.15μmのZnS層、1.54μmのThF4 層、1.37μmのZnSe層、1.15μmのThF4 層、1.26μmのZnS層、0.96μmのThF4 層、1.05μmのZnS層を形成した。銅Cu基板の場合は、Cr層を省くこともできる。特に、パルスCO2 レ-ザに最適である。

請求項（抜粋）：

鏡面加工したシリコンSiまたは銅Cuの基板と、基板の上に形成された厚みが0.01〜0.1μmのCr層と、該Cr層の上に形成された厚みが0.1〜1.0μmの金Au、または銀Ag層と、前記金又は銀層の上に形成された厚みが0.10〜0.20μmのZnS層1と、該ZnS層1の上に形成された厚みが1.39μm〜1.69μmのThF4 層2と、該ThF4層2の上に形成された厚みが1.27μm〜1.47μmのZnS層3と、該ZnSe層3の上に形成され厚みが1.06μm〜1.24μmのThF4 層4と、該ThF4 層4の上に形成された厚みが1.16μm〜1.36μmのZnS層5と、該ZnS層5の上に形成された厚みが0.87μm〜1.05μmのThF4 層6と、該ThF4 層6の上に形成された厚みが0.95μm〜1.05μmのZnS層7とよりなり、ThF4 層2、ZnS層3、ThF4 層4、ZnS層5、ThF4 層6、ZnS層7は位相遅延層を構成することを特徴とする円偏光ミラ-。