半導体装置の保護膜とその形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-133244
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321041
出願日： 1996年05月28日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 GaAs基板やInP基板等の半導体基板の表面に形成することができ、従来例に比較して、不純物が少なくかつ半導体と良好な界面を有する半導体装置の保護膜と、その形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成された非晶質酸化ガリウム膜又は非晶質窒化ガリウム膜からなる半導体装置の保護膜であって、10-7Torr以下の真空中で、蒸発させた金属ガリウム分子を基板温度が200°C以下になるように設定された半導体基板上に堆積させることにより形成された金属ガリウム膜を、酸化処理又は窒化処理することにより形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された金属ガリウム膜を酸化処理してなることを特徴とする半導体装置の保護膜。

IPC (3件)：

H01L 21/318 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/318 B , H01L 29/80 B

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