特許
J-GLOBAL ID:200903026271594784
4級アンモニウム塩の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-282498
公開番号(公開出願番号):特開2000-109487
出願日: 1998年10月05日
公開日(公表日): 2000年04月18日
要約:
【要約】【課題】 非水電解液の電解質として用いるのに好適な、高純度で本質的にハロゲンイオンを含まない、4級アンモニウムテトラフルオロボレート又は4級アンモニウムヘキサフルオロフォスフェートの製造法を提供する。【解決手段】 一般式 Q+ ・RCO3 - (式中、Q+ は4級アンモニウム基を示し、Rは水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示す)で表される炭酸又はそのモノエステルの4級アンモニウム塩と、ホウフッ化水素酸又は六フッ化リン酸とを反応させて4級アンモニウムテトラフルオロボレート又は4級アンモニウムヘキサフルオロフォスフェートを製造するに際し、前者を化学量論量より過剰に用いる。
請求項(抜粋):
一般式 Q+ ・RCO3 - (式中、Q+ は4級アンモニウム基を示し、Rは水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示す)で表される炭酸又はそのモノエステルの4級アンモニウム塩と、ホウフッ化水素酸又は六フッ化リン酸とを反応させて、4級アンモニウムテトラフルオロボレート又は4級アンモニウムヘキサフルオロフォスフェートを製造するに際し、炭酸又はそのモノエステルの4級アンモニウム塩を化学量論量より過剰に用いることを特徴とする4級アンモニウム塩の製造方法。
IPC (5件):
C07F 5/02
, C07F 9/06
, H01G 9/038
, H01G 9/035
, H01M 10/40
FI (5件):
C07F 5/02 D
, C07F 9/06
, H01M 10/40 A
, H01G 9/00 301 D
, H01G 9/02 311
Fターム (19件):
4H048AA02
, 4H048AA03
, 4H048AC90
, 4H048VA20
, 4H048VA30
, 4H048VA75
, 4H048VB10
, 4H050AA02
, 4H050AA03
, 4H050AB80
, 4H050AB91
, 4H050AC90
, 5H029AJ14
, 5H029AM00
, 5H029AM01
, 5H029AM07
, 5H029CJ08
, 5H029EJ03
, 5H029HJ02
引用特許: