特許
J-GLOBAL ID：200903026274839508
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-287764
公開番号（公開出願番号）：特開平8-146621
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】有機アルカリ性化合物を用いてレジスト剥離を行った後、すすぎ洗浄における金属配線層の腐食、断線または細り等を防止することができ、信頼性および生産歩留りの向上に有効な半導体装置の製造方法の提供。【構成】有機アルカリ性化合物を含む剥離液を用いてフォトレジスト膜の剥離処理を行い、次に低誘電率を有するプロトン受容性溶媒を含むすすぎ液を用いてすすぎ洗浄を行なう工程を有する半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
有機アルカリ性化合物を含む剥離液を用いてフォトレジスト膜の剥離処理を行い、次に低誘電率を有するプロトン受容性溶媒を含むすすぎ液を用いてすすぎ洗浄を行なう工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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