特許
J-GLOBAL ID：200903026277703372
半導体ウェハのウェット処理方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-022299
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219385
出願日： 1996年02月08日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【目的】 有機アルカリ系溶液でフォトレジスト膜を剥離した後のリンス処理において残留アルカリによってAl配線等が腐食されることのないようにする。【構成】 ウェハ1を有機アルカリ溶液処理槽3に浸漬し、フォトレジストを剥離する。ウェハをイソプロピルアルコール処理槽4に浸漬してウェハに付着している有機アルカリ溶液をアルコールに置換する。ウェハ1を希釈酸性溶液が充填されたリンス槽5に浸漬する。リンス槽5には酸性溶液調合槽6において、pHが4〜6に調整された希塩酸が充填されている。所定の時間経過後にバルブ9b、9aを切り換えてリンス槽5の溶液を純水に置換してリンスを行う。
請求項（抜粋）：
(1)表面にフォトレジスト膜の形成された半導体ウェハを有機アルカリ溶液にて処理してフォトレジスト膜を剥離する工程と、(2)酸性溶液、または、水に溶けた際に酸性を呈するガスおよび純水でウェハを処理する工程と、(3)純水にてウェハを処理する工程と、を有することを特徴とする半導体ウェハのウェット処理方法。
IPC (7件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, G03F 7/32
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
, H01L 21/306
, H01L 21/3063
H01L 21/304 341 M
, H01L 21/304 341 L
, G03F 7/32
, G03F 7/40 521
, H01L 21/30 572 B
, H01L 21/306 D
, H01L 21/306 L
