特許

J-GLOBAL ID：200903026278038410

半導体装置及びその製造方法

発明者： 佐原 隆一 ,  中村 嘉文 ,  下石坂 望 ,  隈川 隆博
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002313
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204519
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 個別の半導体チップでの表面電極と裏面電極との接続に代えて、ウェハ状態で接続を行ったあとにウェハを切断して半導体チップを製造する。【解決手段】 まず、ウェハ10の各チップ領域に各々表面電極12を形成する。次に、表面電極12のウェハ表面露出部20に貫通穴21を形成する。次に、表面電極12に接続される接続配線14と、該接続配線14に接続される裏面配線15とを同時に形成する。次に、貫通穴21の中心部をダイシングすることによってウェハ10を各チップ領域に切断し、半導体チップ11を得る。ウエハ状態で表面電極12と裏面電極15との接続を行うので、製造工数を大幅に削減できる。

請求項（抜粋）：

第1の面と該第1の面に対向する第2の面とを有する半導体チップからなる半導体装置であって、前記第1の面上に形成された第1の電極と、前記第2の面上に形成された第2の電極と、前記半導体チップが有する前記第1及び第2の面につながる溝状又は穴状の第3の面上に形成され、前記第1の電極と前記第2の電極とを接続するための導電膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。