特許
J-GLOBAL ID：200903026295175448
半導体受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-005067
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216403
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 暗電流の値を低減した半導体受光素子を提供する。【構成】 化合物半導体結晶から成る基板100と、緩和層200と、グレーデッド層300と、グレーデッド層300の最上層の混晶副層310n より小さな格子定数を有する光吸収層400と、p型導電層610と、p型導電層620と、光吸収層400の表面上、p型導電層620に隣接して形成された、グレーデッド層400の最上層と略同一の格子定数を有するキャップ層500と、が積層され、基板100には電極910、導電層620には電極920が接続されて構成される。光吸収層400には、グレーデッド層300の最上層の混晶副層310n とキャップ層500とから引張力が加わり、暗電流が抑制される。
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有する化合物半導体の結晶から成る基板と、前記基板の一方の表面上に形成された第1の電極と、前記基板の他方の表面上に順次エピタキシャル成長した、前記第1の導電型を有し夫々組成比が異なる2種またはそれ以上の化合物半導体の混晶副層が積層されたグレーデッド層と、前記グレーデッド層の表面上にエピタキシャル成長した、前記グレーデッド層の最上層である混晶副層より小さな格子定数を有する光吸収層と、前記光吸収層の表面付近の第1の領域に形成された第2の導電型を有する第1の導電層と、前記第1の導電層の表面上に形成された、前記第2の導電型を有する第2の導電層と、前記光吸収層の表面上、前記第2の導電層に隣接して形成された、前記グレーデッド層の最上層と略同一の格子定数を有し、前記第1の導電型を有する化合物半導体の混晶から成るキャップ層と、前記第2の導電層の表面上に形成された第2の電極と、を含んで構成されることを特徴とする半導体受光素子。
引用特許：
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