交流回路用半導体スイッチ回路

発明者：
出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-261866
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196908
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 NチャンネルMOSFETを用いて、交流回路用半導体スイッチ回路を、トランスを使用せずに実現する。【解決手段】交流電源ACにゲート同士とソース同士を接続した2つのFETQ1とQ2の逆直列回路と負荷回路RLを直列接続し、AC・RLの接続点とQ1とQ2のソース間に、ソース側よりツェナーダイオードZDとコンデンサC1の並列回路に抵抗器R1とダイオードD3を直列接続する。ZDのアノードはソース側でD3のアノードはAC・RL側である。この回路のC1に充電された電圧は制御回路SGの電源になり、SG出力のハイとロウにより両FETはオンとオフになる。この回路により、大型、大重量、高価な絶縁トランスの使用の必要はなく、小型、軽量、安価な交流回路用半導体スイッチ回路を提供できる。

請求項（抜粋）：

交流電源と負荷回路と次のA群から選択された1つの主電源スイッチ回路を直列接続した回路に次のB群から選択された1つの回路を接続し、B群記載のコンデンサ電圧または電池電圧を電源として制御回路を動作させ、制御回路出力の変動により反転する主電源スイッチ回路。A群a.2つのMOSFETのゲート同士とソース同士を接続して逆直列に接続し、制御回路出力を前記2つのMOSFETのゲート・ソース間に印加した主電源スイッチ回路。b.コレクタとエミッタ間にフライホイールダイオードを接続してある2つのIGBTのゲート同士とエミッタ同士を接続して逆直列に接続し、制御回路出力を前記2つのIGBTのゲート・エミッタ間に印加した主電源スイッチ回路。c.カソード同士を接続した2つのダイオードの逆直列回路とアノード同士を接続した2つのダイオードの逆直列回路を並列接続し、MOSFETがオンのときのみ前記カソード同士からアノード同士に電流が流れるようにMOSFETを接続して、制御回路出力を前記MOSFETのゲート・ソース間に印加した主電源スイッチ回路。d.カソード同士を接続した2つのダイオードの逆直列回路とアノード同士を接続した2つのダイオードの逆直列回路を並列接続し、IGBTがオンのときのみ前記カソード同士からアノード同士に電流が流れるようにIGBTを接続して、制御回路出力を前記IGBTのゲート・エミッタ間に印加した主電源スイッチ回路。B群a.A群記載のMOSFETのソースまたはIGBTのエミッタと交流電源の電流ルートの一箇所との間に、整流回路と前記のソースまたはエミッタに一方の端子を接続したコンデンサの直列回路。b.A群記載のMOSFETのソースまたはIGBTのエミッタと交流電源の電流ルートの一箇所との間に、整流回路と前記のソースまたはエミッタに一方の端子を接続した二次電池の直列回路。c.A群記載のMOSFETのソースまたはIGBTのエミッタに、一次電池の一方の端子を接続した回路。

IPC (4件)：

H03K 17/00 , G05F 1/44 , H03K 17/56 , H03K 17/687

FI (4件)：

H03K 17/00 Z , G05F 1/44 Z , H03K 17/56 Z , H03K 17/687 A

Fターム (29件)：

5H420BB12 , 5H420BB13 , 5H420CC04 , 5H420DD03 , 5H420EA12 , 5H420EA42 , 5H420EB01 , 5H420EB04 , 5H420EB38 , 5J055AX12 , 5J055AX44 , 5J055BX16 , 5J055CX08 , 5J055CX18 , 5J055CX23 , 5J055DX09 , 5J055DX13 , 5J055DX22 , 5J055DX80 , 5J055DX84 , 5J055EY01 , 5J055EY10 , 5J055EY12 , 5J055EY13 , 5J055EY29 , 5J055EZ11 , 5J055EZ28 , 5J055EZ59 , 5J055GX01

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