特許

J-GLOBAL ID：200903026304886077

半導体装置の製造方法

発明者： 両澤 克彦 ,  下牧 伸一
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-305890
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132306
出願日： 1992年10月21日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 ガラス基板からの不純物の浸透を十分に防ぐとともに、粒径の大きな良質のポリシリコン薄膜を得る。【構成】 ガラス基板1の上面に窒化シリコン薄膜(下側下地層)2を堆積し、その上面に酸化シリコン薄膜(上側下地層)3を堆積し、その上面にアモルファスシリコン薄膜4を堆積する。そして、エキシマレーザを照射し、アモルファスシリコン薄膜4を結晶化してポリシリコン薄膜5とする。この場合、下側下地層を緻密な構造の窒化シリコン薄膜2によって構成しているので、ガラス基板1からの不純物の浸透を十分に防ぐことができ、また上側下地層を熱伝導率の比較的低い酸化シリコン薄膜3によって構成しているので、粒径の大きな良質のポリシリコン薄膜5を得ることができる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上にガラス中に含まれる不純物の浸透性の悪い下側下地層と熱伝導率の低い上側下地層とを堆積し、前記上側下地層上に堆積した半導体薄膜にレーザを照射して該半導体薄膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 X

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-111258
  
• 特開平3-171716
  
• 特開平4-234134