不揮発性半導体記憶装置及びその書込方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054048
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241380
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】1つのメモリセルに数ビットのデータを記憶可能な不揮発性半導体記憶装置の高速な多値書込方法の提供。【解決手段】並列書込データを検知して選択されたワード線に数段階の電圧が印加され、ビット線に所望のタイミングで一定パルスの電圧が印加される1つのメモリセルに数ビットのデータを記憶可能な不揮発性半導体記憶装置において、並列書込データが“10”と“01”と“00”をもつ場合、ワード線とビット線にデータ“10”の書込電圧を印加し、全メモリセルをデータ“10”のしきい値電圧の状態まで書込を行い、データ“01”と“00”のメモリセルにデータ“01”の書込電圧を印加し、データ“01”のしきい値電圧の状態まで書込を行い、データ“00”のメモリセルにデータ“00”の書込電圧を印加し、データ“00”のしきい値電圧の状態まで書込を行う。

請求項（抜粋）：

1つのメモリセルに複数ビットのデータを記憶させ、しきい値電圧を一定方向に可変させて前記メモリセルに複数種類(n種類とする)のしきい値電圧を持たせるようにした不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法において、しきい値電圧の最低状態から数えてm番目(但し、mはnよりも小)のしきい値電圧の状態に設定するメモリセルに対して所定の書込電圧を印加する際に、しきい値電圧の最低状態から数えてk番目(但し、kは前記mよりも大で且つ前記nを超えない数)のしきい値電圧の状態に設定するメモリセルに対しても書込電圧を同時に印加する、ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書込方法。

FI (2件)：

G11C 17/00 611 E , G11C 17/00 641

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-241601 出願人：株式会社日立製作所

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