特許

J-GLOBAL ID：200903026306128030

CZ法による単結晶製造装置および融液レベル制御方法

発明者： 太田 一男
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-086028
公開番号（公開出願番号）：特開平7-277879
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：

【要約】【目的】 CZ法による単結晶製造において、融液面および輻射防止筒を常に所定の位置に保持することができるようにする。【構成】 るつぼ軸3を駆動してるつぼ4を所定の位置に設置し、原料溶解完了時のるつぼ軸3の位置を記憶する。シード軸2に固定した種子結晶が融液5に接触したときのシード軸位置データに基づいて融液面位置を算出する。次に、前記融液面位置データに基づいて、輻射防止筒7の下面と融液面との隙間が所定の値になるように輻射防止筒上下軸8を駆動し、輻射防止筒7を固定する。融液5の表面から反射する輻射防止筒7下面の写像の特定部位をCCDカメラ9で検出し、前記特定部位が変位した場合はるつぼ軸3を駆動して融液面位置を調整する。前記制御は、指令部11、制御演算部12により行われる。これらの操作により、融液面および輻射防止筒7は常に所定の位置に保持される。

請求項（抜粋）：

シード軸、るつぼ軸および輻射防止筒上下軸が、いずれも同一基準に基づく絶対座標系における垂直方向変位量検出手段と、変位量補正手段とを備えていることを特徴とするCZ法による単結晶製造装置。