半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：広瀬和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-165003
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345377
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】サージ電圧によって内部回路の領域の電位が変動するのを防ぎ、内部回路の正常動作を保持し、信頼性を向上させる。【解決手段】 SOI基板1のn形シリコン層2にはMOSFET8,LDMOS10が形成された領域7,9を設ける。また、領域9にはLDMOS10のドレイン10A、p形領域12,13からなるシールド領域11を設け、このシールド領域11のp形領域13を接地端子V0 に接続し、LDMOS10のドレイン10Aには出力端子を接続する。これにより、出力端子とp形支持基板3との間にハイパスフィルタを形成し、このハイパスフィルタによってサージ電圧を除去することができる。

請求項（抜粋）：

半導体支持基板主面に絶縁膜で誘電体分離された半導体層を有するSOI基板と、該半導体層に設けられ該半導体層を複数の領域に誘電体分離するトレンチ溝型絶縁領域を有する半導体装置において、前記複数の領域のうち少なくとも一つの領域の内部にて、該半導体層の底面に該絶縁膜と接して設けられた第1の第1導電形高濃度半導体埋込領域と、該半導体層主面に設けられ該第1の第1導電形高濃度半導体埋込領域に各々接する第2の第1導電形高濃度半導体拡散領域と第1の第2導電形高濃度半導体拡散領域とからなるシールド領域を形成し、かつ該第2の第1導電形高濃度半導体拡散領域を第1の定電圧端子に接続すると共に、該第1の第2導電形高濃度半導体拡散領域を第2の定電圧端子、入力端子、出力端子のいずれかに接続する構成としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/762 , H01L 21/76 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/08 331 , H01L 27/08 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/786

FI (9件)：

H01L 27/08 331 E , H01L 27/08 331 F , H01L 21/76 D , H01L 21/76 S , H01L 27/04 H , H01L 29/72 , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 621 , H01L 29/78 623 Z

Fターム (73件)：

5F003AP00 , 5F003AP06 , 5F003AZ03 , 5F003BA25 , 5F003BA27 , 5F003BA93 , 5F003BB90 , 5F003BC02 , 5F003BC90 , 5F003BG03 , 5F003BJ12 , 5F003BJ15 , 5F003BJ18 , 5F003BJ20 , 5F032AA06 , 5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA63 , 5F032AC04 , 5F032BA01 , 5F032BA05 , 5F032BB01 , 5F032CA17 , 5F032CA18 , 5F032CA20 , 5F032CA24 , 5F032DA71 , 5F038BH02 , 5F038BH03 , 5F038BH05 , 5F038BH10 , 5F038BH13 , 5F038CD04 , 5F038EZ20 , 5F048AA03 , 5F048AA04 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AB06 , 5F048AB07 , 5F048AC04 , 5F048AC05 , 5F048AC06 , 5F048AC07 , 5F048BA12 , 5F048BA16 , 5F048BF17 , 5F048BG07 , 5F048BH04 , 5F048CC01 , 5F048CC05 , 5F048CC06 , 5F110AA21 , 5F110BB04 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD22 , 5F110EE02 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG32 , 5F110GG60 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ15 , 5F110HM12 , 5F110NN62 , 5F110NN63 , 5F110QQ17

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