配線構造の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高橋詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-367058
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170882
出願日： 2000年12月01日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。【解決手段】配線構造の製造方法が、半導体素子201の上にWプラグ203(下層配線)が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜204(絶縁膜)を形成する工程と、第二層間絶縁膜204に電子線を照射して、第二層間絶縁膜204を露光する工程と、第二層間絶縁膜204を現像して未露光部を除去し、配線溝および/またはビアホールおよび/またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成された基板上に絶縁膜が多層形成され、絶縁膜に形成された配線溝およびビアホールに金属配線剤が充填されて、配線および接続プラグが形成された配線構造において、前記絶縁膜のうち少なくとも一層が対電子線感光性を有する材料から形成されており、絶縁膜の層間および配線間には対銅バリア膜を有し、前記金属配線剤は銅を含むことを特徴とする配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/312 , H01L 21/3205

FI (8件)：

H01L 21/312 D , H01L 21/312 N , H01L 21/90 B , H01L 21/88 K , H01L 21/88 M , H01L 21/90 K , H01L 21/90 S , H01L 21/90 Q

Fターム (93件)：

5F033HH04 , 5F033HH05 , 5F033HH06 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH30 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ04 , 5F033JJ05 , 5F033JJ06 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ14 , 5F033JJ15 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ23 , 5F033JJ27 , 5F033JJ28 , 5F033JJ30 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK05 , 5F033KK06 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK14 , 5F033KK15 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP11 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ14 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ54 , 5F033QQ73 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR24 , 5F033RR27 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033XX03 , 5F033XX10 , 5F033XX15 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AD08 , 5F058AD11 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG09 , 5F058AH02

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