特許
J-GLOBAL ID:200903026316776595

リソグラフィーマスクブランク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池田 憲保
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2003016561
公開番号(公開出願番号):WO2004-059384
出願日: 2003年12月24日
公開日(公表日): 2004年07月15日
要約:
リソグラフィーマスクを製造する素材として用いられるリソグラフィーマスクブランクであって、基板上に所望の機能を有する薄膜を少なくとも一層有するリソグラフィーマスクブランクにおいて、前記ブランクは、前記薄膜として窒素を含有する薄膜と、前記窒素を含有する薄膜上、又は前記窒素を含有する薄膜の少なくとも表面部分に形成された、前記リソグラフィーマスクを製造したときに表面に露出するアンモニウムイオンの生成を防止するアンモニウムイオン生成防止層を有する。
請求項(抜粋):
リソグラフィーマスクを製造する素材として用いられるリソグラフィーマスクブランクであって、基板上に所望の機能を有する薄膜を少なくとも一層有するリソグラフィーマスクブランクにおいて、 前記ブランクは、前記薄膜として窒素を含有する薄膜と、前記窒素を含有する薄膜上、又は前記窒素を含有する薄膜の少なくとも表面部分に形成された、前記リソグラフィーマスクを製造したときに表面に露出するアンモニウムイオンの生成を防止するアンモニウムイオン生成防止層を少なくとも有することを特徴とするリソグラフィーマスクブランク。
IPC (3件):
G03F 1/14 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F1/14 E ,  G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P
Fターム (3件):
2H095BB03 ,  2H095BC24 ,  2H095BC26

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