特許
J-GLOBAL ID：200903026319224755
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327968
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163007
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 有効面積率を向上した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 アイランド33上に半導体チップ38を固着し、ワイヤ39でリード端子34、35と接続する。全体を樹脂40でモールドする。裏面側の樹脂40を部分的に除去して、外部接続用電極となる箇所の金属表面を露出する。半導体チップ38の周囲を囲むように樹脂40を切断して、個々の半導体装置に分割する。
請求項（抜粋）：
半導体チップを固着するアイランドと、前記アイランドに先端を近接するリード端子とを有するリードフレームを準備する工程と、前記アイランドの表面に半導体チップを固着する工程と、前記半導体チップの表面に形成した電極と前記リード端子とを電気的に接続する工程と、前記半導体チップを含め、前記アイランドとリード端子を絶縁材料で封止する工程と、前記絶縁材料の一部を除去してリード端子の裏面側の一部を露出する工程と、前記絶縁材料を除去した部分を切断して個々のパッケージを形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/56
, H01L 23/28
, H01L 23/50
H01L 21/56 R
, H01L 23/28 Z
, H01L 23/50 R
