特許
J-GLOBAL ID:200903026328274706

磁気抵抗効果型薄膜ヘッド

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-063364
公開番号(公開出願番号):特開平7-272221
出願日: 1994年03月31日
公開日(公表日): 1995年10月20日
要約:
【要約】【目的】 磁界感度が高いと共に再生出力が大きい磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを提供する。【構成】 MR素子1を等方性磁気抵抗材料により形成する。また、MR素子1の素子高さ(H)と素子幅(W)との比(H/W)を0.8以上とする。更に、接続電極2a,2bの素子高さ方向における長さ(WE )を素子高さ(H)に比して小さくする。更にまた、正面視でMR素子1のヘッド先端側の端部に接続電極2a,2bに被覆されない領域を設ける。
請求項(抜粋):
等方性磁気抵抗材料からなり素子高さ(H)と素子幅(W)との比(H/W)が0.8以上に設定された磁気抵抗素子と、素子高さ方向の長さ(WE )が前記素子高さ(H)に比して小さく設定され前記磁気抵抗素子に接続された1対の接続電極とを有し、正面視でヘッド先端側における前記磁気抵抗素子の端部の少なくとも一部が前記接続電極に被覆されていないことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。

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