特許

J-GLOBAL ID：200903026330572595

半導体装置の製造方法

発明者： 高田 仁志
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大塚 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-197955
公開番号（公開出願番号）：特開2005-038937
出願日： 2003年07月16日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】基板にイオンを注入する際、イオンの損失を抑えて、浅く、かつ、高濃度にイオンを注入する。【解決手段】イオン注入装置内において、まず、基板上に形成された自然酸化膜を除去する。その後、イオン注入装置内において、続けて、基板へのイオン注入を行う。より具体的な1の方法としては、イオン注入装置のプラズマ室に、エッチングガスを供給して、エッチングガスをプラズマ化し、これを基板に照射して、自然酸化膜を除去する。その後、続けて、同一イオン注入装置内のプラズマ室に、ハロゲンガスを供給して、プラズマ化して、これをガイドチューブ内に充填した後、ガイドチューブ内に、不純物として注入するイオンを供給し、ガイドチューブから、基板上にイオンを照射する。また、この間、イオン注入装置内を高真空に保っておく。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

イオン注入装置内において、基板上の自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去工程と、 前記イオン注入装置内において、前記基板にイオンを注入するイオン注入工程と、 を備えることを特徴とするイオン注入方法。

IPC (3件)：

H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L29/78

FI (4件)：

H01L21/265 Z ,  H01L21/265 603C ,  H01J37/317 Z ,  H01L29/78 301S

Fターム (11件)：

5C034CC01 ,  5C034CC07 ,  5C034CD02 ,  5C034CD06 ,  5F140AA01 ,  5F140AA13 ,  5F140BA01 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CE10