特許
J-GLOBAL ID:200903026334636512

積層型蓄電素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲垣 清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-369884
公開番号(公開出願番号):特開2000-195500
出願日: 1998年12月25日
公開日(公表日): 2000年07月14日
要約:
【要約】【課題】 積層型蓄電素子のドライアップを抑制して信頼性を向上させる。【解決手段】 集電体3上に形成された電極4aを対向配置させ、両者の間にイオン透過性で電子伝導性を持たない多孔性セパレータ5を介して電解液を保持した積層型蓄電素子において、セパレータと接する少なくとも一方の電極表面に空隙又は凹凸を設ける。
請求項(抜粋):
集電体上に形成された電極を対向配置させ、両者の間にイオン透過性で電子伝導性を持たない多孔性セパレータを介して電解液を保持した積層型蓄電素子において、前記セパレータと接する少なくとも一方の電極表面に空隙又は凹凸を設けたことを特徴とする積層型蓄電素子。
IPC (3件):
H01M 4/02 ,  H01G 9/058 ,  H01M 10/40
FI (3件):
H01M 4/02 B ,  H01M 10/40 Z ,  H01G 9/00 301 A
Fターム (7件):
5H014AA07 ,  5H014BB05 ,  5H014CC04 ,  5H029AJ03 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ03
引用特許:
審査官引用 (3件)

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