特許

J-GLOBAL ID：200903026336884173

シリカ及び窒化ケイ素のケミカルメカニカルポリッシングのための組成物及び方法

発明者： サラ・ジェイ・レーン ,  ブライアン・エル・ミューラー ,  チャールズ・ユ
出願人/特許権者： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 津国 肇 ,  篠田 文雄 ,  束田 幸四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-052501
公開番号（公開出願番号）：特開2005-252255
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】STI加工のためのシリカ及び窒化ケイ素のケミカルポリッシングのための、改善された選択比を有する組成物及び方法。【解決手段】 本発明は、半導体ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するのに有用な水性組成物であって、双性イオン化合物0.01〜5重量%、カルボン酸ポリマー0.01〜5重量%、砥粒0.02〜6重量%、カチオン性化合物0〜5重量%及び残余としての水を含み、双性イオン化合物が、以下の構造(式中、nは整数であり、Yは水素又はアルキル基からなり、Zはカルボキシル、スルフェート又は酸素からなり、Mは窒素、リン又は硫黄原子からなり、X1、X2及びX3は、独立して、水素、アルキル基及びアリール基からなる群より選択される置換基からなる)を有するものである組成物を提供する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するのに有用な水性組成物であって、双性イオン化合物0.01〜5重量%、カルボン酸ポリマー0.01〜5重量%、砥粒0.02〜6重量%、カチオン性化合物0〜5重量%及び残余としての水を含み、前記双性イオン化合物が以下の構造

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17