特許
J-GLOBAL ID：200903026337946814
イオンビーム加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-306802
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213758
出願日： 1987年12月29日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、イオンビーム加工装置において、ICの配線変更とその動作解析を同一装置内で行えるようにすること。【解決手段】 IC配線の切断や接続加工の前後及び加工中の電位を測定するために、二次電子のエネルギー弁別用グリット電極を備え、該グリットを通過した二次電子を検出することにより、イオンビームにて加工した後の加工試料表面電位をリアルタイムに測定できるようにするイオンビーム加工装置を提供するものである。
請求項（抜粋）：
(1)X-Y-Z方向に駆動する試料台に備えられ、IC試料を固定し、外部のパターンジェネレータの信号をIC試料に入力するためICソケット付試料ホルダーにIC試料を載置し、前記試料にイオンビーム照射系からの集束イオンビームを照射し、集束イオンビーム照射位置にガス銃から金属有機化合物ガスを吹き付け、集束イオンビーム照射により試料から発生する二次電子を検出器にて検出し、検出器と試料の間に設けられた二次電子分光装置により前記二次電子をエネルギーに応じて弁別することを特徴とするイオンビーム加工方法。(2)前記イオンビームのイオン源には、液体金属イオン源を用い、イオンビームエッチング加工と、ガス銃により、金属有機化合物ガスを吹き付け、イオンビーム励起による金属膜をCVDを利用した膜付加工とをする請求項1記載のイオンビーム加工方法。
IPC (6件)：
H01L 21/66
, B23K 15/00 508
, G01R 31/302
, H01J 37/30
, H01L 21/3065
, H01L 21/3205
H01L 21/66 C
, B23K 15/00 508
, H01J 37/30 Z
, G01R 31/28 L
, H01L 21/302 D
, H01L 21/88 Z
