特許

J-GLOBAL ID：200903026342736925

エピタキシャル強誘電体薄膜素子及びその製造方法

発明者： 南川 忠洋
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-139930
公開番号（公開出願番号）：特開2003-075671
出願日： 2002年05月15日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：

【要約】【課題】 気相エピタキシャル成長法による場合の膜表面粗さの問題、ゾルゲル法による場合の一回当たりの膜形成厚みの制限、異なる屈折率の層からなる積層構造膜を形成する際の工程の複雑化などの問題を解決し、良好な特性を備えたエピタキシャル強誘電体薄膜素子を効率よく製造する。【解決手段】 ペロブスカイト型構造を有する酸化物単結晶基板上に、気相成長法により、結晶化温度より低い温度でアモルファス膜を形成した後、このアモルファス膜を、結晶化温度より高い温度に加熱して結晶化させることにより、ペロブスカイト型構造を有する強誘電体薄膜とする。また、アモルファス膜形成工程において、組成の異なる2以上の層からなるアモルファス膜を形成する。アモルファス膜形成工程と結晶化工程とからなる一連の工程を、2回以上繰り返して行う。

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト型構造を有する酸化物単結晶基板上に、気相成長法により、結晶化温度より低い温度でアモルファス膜を形成するアモルファス膜形成工程と、前記アモルファス膜を、結晶化温度より高い温度に加熱して結晶化させることによりペロブスカイト型構造を有する強誘電体薄膜とする結晶化工程とを具備することを特徴とするエピタキシャル強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (6件)：

G02B 6/13 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56 ,  C30B 29/32 ,  C30B 33/02 ,  G02F 1/03 501

FI (6件)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/56 ,  C30B 29/32 D ,  C30B 33/02 ,  G02F 1/03 501 ,  G02B 6/12 M

Fターム (34件)：

2H047KA03 ,  2H047MA05 ,  2H047PA05 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047TA18 ,  2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079DA03 ,  2H079DA22 ,  4G077AA03 ,  4G077BC43 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FE03 ,  4G077FE13 ,  4G077FE19 ,  4G077HA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TB13 ,  4G077TK01 ,  4K030AA11 ,  4K030BA18 ,  4K030BA42 ,  4K030BB02 ,  4K030BB05 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA03 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11