特許

J-GLOBAL ID：200903026342905409

磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法

発明者： 中田 正宏 ,  大山 達史 ,  小林 伸二 ,  武田 和彦 ,  安田 伊佐雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 丸山 敏之 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-187882
公開番号（公開出願番号）：特開平7-044824
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 一対のシールド層1、4間に、MR素子層、非磁性物質層、及びバイアス磁界を印加するための非晶質軟磁性層からなる3層構造のMR複合層2を形成したMRヘッドにおいて、MR素子層と非晶質軟磁性層の間には、非磁性物質層として酸化ニオブ層を形成する。該酸化ニオブ層の形成は、8×10-7Torr以上の低真空中にてニオブを真空蒸着することによって行なう。【効果】 センス電流の分流による再生出力の低下を抑えることができ、然も、MRヘッド製造工程中の熱処理工程によるMR素子や非晶質軟磁性体層の磁気特性の劣化を抑えることができる。

請求項（抜粋）：

一対のシールド層間に、磁気抵抗効果素子層と該磁気抵抗効果素子層にバイアス磁界を印加するためのバイアス層とを形成した磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子層とバイアス層の間には、酸化ニオブ層が介在していることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。