特許
J-GLOBAL ID：200903026345640376
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-277192
公開番号（公開出願番号）：特開平5-089687
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的はEEPROMのデータ書換回数を減少させることである。【構成】 EEPROMはデータ書き込みモードとなると、センスアンプ102およびカラムラッチ104が読み出しデータDijkおよび書き込みdikを出力し、比較回路10がこれらを比較する。比較回路はその結果を表す信号Sを書き込み回路108に送る。書き込み回路は読み出しデータDijkおよび書き込みデータdikが同値であれば、書き込みを実行しないので、データ書換回数が減少する。
請求項（抜粋）：
電気的に書換可能な不揮発性メモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置において、書換モード時に不揮発性メモリセルから読み出された読み出しデータを保持するセンスアンプと、書き込みデータの供給を受け読み出しデータと比較する比較回路と、比較回路での比較結果にしたがい書き込みデータを不揮発性メモリセルに書き込みまたは書き込まない書き込み回路を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
引用特許：
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