特許

J-GLOBAL ID：200903026350571587

半導体封止装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 加藤 清治 ,  山田 弘道 ,  広瀬 哲也 ,  上野 透 ,  三枝 寛樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  三菱電機エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260356
公開番号（公開出願番号）：特開2001-079901
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：

【要約】【課題】 モールド金型に設置するエジェクタピンを抹消・削減することにより、高精度穴加工の減少等を実現し得る半導体封止装置を得る。【解決手段】 下型リテーナ1の上面内には下型キャビティインサート4が組み込まれている。下型キャビティインサート4の底面内には下型キャビティ直下ブロック5が配置されている。下型キャビティ直下ブロック5の上面上には、弾性を有する下型薄板6が配置されている。下型キャビティ2の底面は下型薄板6によって構成されており、下型キャビティ2の側面は下型薄板6の上方の下型キャビティインサート4の側壁によって構成されている。バッキングプレート9内には通気管7が配置されており、通気管7は下型リテーナ1内及び下型キャビティ直下ブロック5内を通って、下型キャビティ2のほぼ中央下方において下型キャビティ直下ブロック5の上面に到達している。

請求項（抜粋）：

キャビティを有するモールド金型と、前記キャビティの底面を構成し、弾性を有する板状体と、前記キャビティ内に成形された封止対象を前記キャビティから離型する方向に前記板状体を凸状に加圧変形させるための加圧手段とを備える半導体封止装置。

IPC (4件)：

B29C 45/40 ,  B29C 33/44 ,  B29C 45/14 ,  H01L 21/56

FI (4件)：

B29C 45/40 ,  B29C 33/44 ,  B29C 45/14 ,  H01L 21/56 T

Fターム (26件)：

4F202AH37 ,  4F202AM35 ,  4F202CA12 ,  4F202CB01 ,  4F202CB17 ,  4F202CK13 ,  4F202CK89 ,  4F202CM02 ,  4F202CM16 ,  4F202CM90 ,  4F202CQ03 ,  4F206AH37 ,  4F206AM35 ,  4F206JA02 ,  4F206JB17 ,  4F206JM06 ,  4F206JN27 ,  4F206JN41 ,  4F206JP03 ,  4F206JQ81 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DA01 ,  5F061DA06 ,  5F061DA15