特許
J-GLOBAL ID：200903026351470636
積層ゲート型不揮発性半導体記憶装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-301140
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130887
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 メモリセルのデータ保持特性及びゲートディスターブ耐性を高め且つ特性のばらつきを小さくする。【構成】 多結晶Si膜13に対する高速熱酸化で、その表面にSiO2 膜14を形成した後、SiN膜15を堆積させ、再び高速熱酸化を行ってSiN膜15の表面にSiO2 膜16を形成して、浮遊ゲートと制御ゲートとの容量結合用のONO膜17を形成する。この結果、結晶粒による多結晶Si膜13の表面の凹凸が大きくなるのを防止することができて電流リーク特性及び絶縁破壊特性に優れており且つ膜厚の均一性の高いONO膜17を形成することができる。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲート上に絶縁膜を介して制御ゲートが積層されている積層ゲート型不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、前記浮遊ゲート用の多結晶半導体膜を形成する工程と、前記多結晶半導体膜に対する高速熱酸化でこの多結晶半導体膜の表面に半導体酸化膜を形成し、この半導体酸化膜を前記絶縁膜の少なくとも一部にする工程とを有することを特徴とする積層ゲート型不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
