特許

J-GLOBAL ID：200903026356860114

CMOS集積回路

発明者： 辻 信昭
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132855
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326864
出願日： 1992年05月25日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 高いラッチアップ耐性を有するCMOS集積回路を得る。【構成】 Nウェル2およびPウェル3を各々囲む高抵抗領域を設けた。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にP型領域とN型領域とを形成し、前記P型領域にNチャネルのMOSFETを形成すると共に前記N型領域にPチャネルのMOSFETを形成してなるCMOS集積回路において、前記P型領域およびN型領域の少なくとも一方を囲む高抵抗領域を有することを特徴とするCMOS集積回路。