特許

J-GLOBAL ID：200903026362148396

半導体熱処理炉ガス制御治具

発明者： 松下 純一 ,  茶木 勝弘 ,  吉川 淳
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 赤野 牧子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-108964
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288232
出願日： 1995年04月10日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板の熱処理炉内の配置の差異によらず、複数の基板を均一に処理でき、表面状態が良好で差がなく均一に処理できるように処理ガスを均一に整流させる半導体熱処理炉ガス制御治具の提供。【構成】 複数の半導体基板をボートにセットして装入して熱処理する熱処理炉の炉芯管内に、該炉芯管の処理ガス導入口側端部に炉芯管と同心状で且つ炉芯管内壁と所定の間隙を有して着脱自在に配設され、該半導体基板より大径であって、該炉芯管内に導入される処理ガス流を制御して均一な流れを保持して流通排気可能とすることを特徴とする半導体熱処理炉ガス制御治具。前記炉心管内壁との間隙が、該炉芯管内壁と外周部との間隙であって5〜100mmであり、且つ、前記炉芯管のガス導入口と該ガス導入口に最も近接する先端部とが5〜100mmの距離を有することが好ましい。

請求項（抜粋）：

複数の半導体基板をボートにセットして装入して熱処理する熱処理炉の炉芯管内に、該炉芯管の処理ガス導入口側端部に炉芯管と同心状で且つ炉芯管内壁と所定の間隙を有して着脱自在に配設され、該半導体基板より大径であって、該炉芯管内に導入される処理ガス流を制御して均一な流れを保持して流通排気可能とすることを特徴とする半導体熱処理炉ガス制御治具。

IPC (3件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/324 D