特許

J-GLOBAL ID：200903026362293078

AlGaAsエピタキシャルウエハおよびそれを用いた発光ダイオード

発明者： 栗原 徹
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-185783
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015802
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 サブピーク強度比を2%以下に規制することのできるAlGaAsエピタキシャルウエハとこれに基づく発光ダイオードを提供する。【解決手段】 GaAsの基板1の上にクラッド層3、活性層4およびウインド層5をエピタキシャル成長させたAlGaAsエピタキシャルウエハにおいて、基板1とクラッド層3との間に、基板1よりもキャリア濃度の低いGaAs層2を形成する。

請求項（抜粋）：

GaAsの基板の上に、AlGaAsのクラッド層および活性層をエピタキシャル成長させたAlGaAsエピタキシャルウエハにおいて、前記基板と前記クラッド層の間に前記基板よりキャリア濃度の低いGaAs層を有することを特徴とするAlGaAsエピタキシャルウエハ。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/40 502

FI (2件)：

H01L 33/00 A ,  C30B 29/40 502 H

Fターム (13件)：

4G077AA02 ,  4G077BE45 ,  4G077CG01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA58 ,  5F041CA63