特許

J-GLOBAL ID：200903026363355662

半導体検査回路

発明者： 森 猛 ,  難波 剛 ,  平野 雄久 ,  中井 勝博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052263
公開番号（公開出願番号）：特開2000-251500
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 メモリ107にたいして、論理的検査からセル間リーク故障やセル間の低電圧故障の検査を行なう。【解決手段】 メモリ107の検査を開始するための書き込み開始信号S101と、メモリ107にどの位データを保持するかを示すデータ保持期間信号S102とを入力し、制御部105で検査データ格納部106からデータを読み出すタイミングと、メモリ107にデータを書き込み読み出すタイミングとを制御する。メモリ107からの読み出しデータをS107と検査データS106のタイミングを調整して比較部108で比較し、両者が一致していればメモリ107は良品、一致していなればメモリ107は不良品と判定する。データ保持期間信号S102を様々な長さに変えることにより、メモリ107の論理的検査からセル間リーク故障やセル間の低電圧故障の検出まで行なうことができる。

請求項（抜粋）：

データを格納するメモリ部と、前記メモリ部にデータが書き込まれてから読み出すまでの時間を可変にすることのできる制御部と、読み出したデータと書き込んだデータを比較して前記メモリの検査を行なう判定部とを備えたことを特徴とする半導体検査回路。

IPC (2件)：

G11C 29/00 675 ,  G01R 31/28

FI (2件)：

G11C 29/00 675 L ,  G01R 31/28 B

Fターム (18件)：

2G032AA07 ,  2G032AC03 ,  2G032AD05 ,  2G032AD08 ,  2G032AE08 ,  2G032AG01 ,  2G032AH01 ,  2G032AK15 ,  2G032AK19 ,  5L106DD08 ,  5L106DD11 ,  5L106DD21 ,  5L106EE02 ,  5L106GG03 ,  9A001JJ45 ,  9A001KK54 ,  9A001LL02 ,  9A001LL05