レジストパタン形成方法及び半導体装置製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-040934
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232218
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】ArFリソグラフィにおいて,ハロゲンを含むガスに対し十分なドライエッチング耐性を持つ電極加工用の微細なレジストパタンの形成方法を得る。【解決手段】基板1上に多結晶シリコン2を堆積させ,この上に側鎖または主鎖に芳香族性の官能基が存在する高分子化合物を含む樹脂の下層レジスト3を形成し、この下層レジスト上にシリコン原子を含有するネガ型放射線感応性材料4を塗布して上層レジストを形成し、この2層レジストに活性化学線を照射して上層レジストにネガ型パタン5を形成し,この上層レジストをマスクとし下層レジストの露出部を反応性酸素イオンエッチングして上層レジストのパタンを下層レジストに転写し,ふっ素と炭素原子を含むガスによるアッシングで上層レジストを除去する。

請求項（抜粋）：

ドライエッチングする際のマスクとして使用するレジストパタン形成において,所定の基板上に金属膜を形成し,前記金属膜上に2層レジストの下層として側鎖または主鎖に芳香族性の官能基が存在する高分子化合物を少なくとも含む有機性樹脂からなる塗膜を形成する工程と,前記下層レジストの上にシリコン原子を含有するネガ型放射線感応性材料からなる上層レジストを形成する工程と,前記の2層レジストに活性化学線を照射した後現像して上層レジストに所定のネガ型パタンを形成する工程と,前記のパタン形成された上層レジストをマスクとし反応性酸素イオンエッチングにより下層レジストの露出部をエッチングして上層レジストのパタンを下層レジストに転写する工程と,少なくともふっ素原子ならびに炭素原子を含むガスによるアッシングで上層レジストを除去する工程からなることを特徴とするレジストパタン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 7/075 511 , G03F 7/26 511 , G03F 7/42 , H01L 21/3065

FI (6件)：

H01L 21/30 573 , G03F 7/075 511 , G03F 7/26 511 , G03F 7/42 , H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 H

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