不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-265563
公開番号（公開出願番号）：特開平8-129894
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】書込または消去時間設定回路を内蔵する不揮発性半導体記憶装置において、製造条件のバラツキ、経時変化および動作電圧変動に対して、メモリデータの不完全書込および不完全消去に関係する特性を補強する。【構成】書込または消去時間設定回路は発振器2およびカウンタ回路4と共に、電源電位判定回路1およびカウンタ設定値変更回路3を備えている。電源電位が一定レベルV1より低下した場合、電源電位判定回路1の出力信号LVDがロウレベルに変化し、カウンタ設定値変更回路3の出力を出力をカウンタ回路4の第mビット出力Qmから第nビット出力Qnに変更し、書込または消去パルス信号Tのパルス幅を拡げる。

請求項（抜粋）：

発振器とこの発振器の出力信号をカウントするカウンタ回路とを有し一定の書込または消去時間を設定したパルス幅をもつパルス信号を出力する書込または消去時間設定回路を内蔵する不揮発性半導体記憶装置において、前記書込または消去時間設定回路は、電源電圧をセンスし一定レベルよりの高低を判定する電源電位の判定回路と、この判定回路の出力により前記パルス信号のパルス幅を変更する変更手段とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 510 D , G11C 17/00 510 A , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭57-200994
特開平1-263998
特開平2-146190

前のページに戻る