特許

J-GLOBAL ID：200903026374075289

露光方法、マスク製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： 大沼 英寿
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-189086
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031851
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】リソグラフィ工程において、極短紫外光が反射型マスクに対して斜め入射する場合であっても、マスクパターンの方位によって生じる転写像の位置ずれや変形(パターン幅の歪み)等の発生を回避する。【解決手段】マスクパターンのパターン構成要素11a,11bを極短紫外光の射影ベクトルに対する方向別に分割して、同一方向のパターン構成要素群のみからなる各方向別の反射型マスク12a,12bを用いて被露光体8上へのパターン転写を順次行うとともに、ある反射型マスク12aから他の反射型マスク12bへの切り換えの際に、前記他の反射型マスク12bおよび前記被露光体8を回転させて、前記射影ベクトルに対する角度が前記ある反射型マスク12aの場合の角度と同一となるようにする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

極短紫外光の反射型マスクを用いて被露光体上に所望パターンを転写するための露光方法であって、 前記所望パターンに対応するマスクパターンのパターン構成要素を前記極短紫外光の射影ベクトルに対する方向別に分割して、同一方向のパターン構成要素群のみからなるマスクパターンの反射型マスクを各方向別にそれぞれ用意し、 各方向別の反射型マスクのそれぞれについて前記極短紫外光の照射およびその反射による前記被露光体上へのパターン転写を順次行うとともに、 ある反射型マスクから他の反射型マスクへの切り換えの際に、前記他の反射型マスクのパターン構成要素と前記射影ベクトルとの角度が、前記ある反射型マスクのパターン構成要素と前記射影ベクトルとの角度と同一となるように、前記他の反射型マスクおよび前記被露光体を前記射影ベクトルに対して回転させる ことを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  G03F1/16 ,  G03F7/20

FI (5件)：

H01L21/30 517 ,  G03F1/16 A ,  G03F7/20 503 ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 531E

Fターム (19件)：

2H095BA02 ,  2H095BA10 ,  2H095BB02 ,  2H097CA15 ,  2H097GB00 ,  2H097LA10 ,  5F046AA13 ,  5F046AA25 ,  5F046BA05 ,  5F046CB17 ,  5F046CC01 ,  5F046CC02 ,  5F046DA08 ,  5F046DA11 ,  5F046GA03 ,  5F046GA11 ,  5F046GA12 ,  5F046GA14 ,  5F046GD10