特許

J-GLOBAL ID：200903026380919715

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 峯尾 江利子 ,  大鋸谷 薫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-036504
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233450
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】 CMP法を使用した層間絶縁膜の平坦化処理を行っても、配線層間の導通不要を防止できる半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の上に、配線層9を形成した後、半導体基板1の上に、層間絶縁膜10を堆積する工程と、CMP法を使用して、層間絶縁膜10の表面を平坦化する工程と、その後、熱処理を行って、配線層9の表面とその上の層間絶縁膜10とに、それらの剥がれを起こし、その領域に空隙11を形成する工程と、層間絶縁膜10の選択的な領域に形成されている接続孔12に、タングステンなどからなるプラグ13を埋め込む工程とを有するものである。

請求項（抜粋）：

配線層の上に、CMP法により表面が平坦化された層間絶縁膜が形成されており、前記配線層の表面とその上の前記層間絶縁膜との間にそれらの剥離による空隙が形成されており、前記層間絶縁膜の選択的な領域に形成されている接続孔に埋め込まれているプラグが、前記空隙の一部および前記接続孔の下部の前記配線層に電気的に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/41

FI (3件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 29/44 Z