特許

J-GLOBAL ID：200903026384357827

磁気素子

発明者： 高橋 義則 ,  猪俣 浩一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-216984
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064434
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 光学系を用いることなく磁気結合状態を変化することのできる磁気素子を提供する。【解決手段】第1の導電性強磁性層(1)と第2の導電性強磁性層(2)との間に印加電圧を制御できる電位制御手段(4)、例えば電圧可変直流電圧源を接続し、この電圧を変えることで、トンネル絶縁膜としての第1及び第2の導電性強磁性層(1)(2)の誘電体層(3)のポテンシャル障壁を変化させる。

請求項（抜粋）：

第1の導電性強磁性層と第2の導電性強磁性層との間に介在する誘電体層とを備えた積層膜と;前記誘電体層の電位を制御し、前記第1及び第2の導電性強磁性層の磁気結合状態を変化せしめる電位制御手段とを具備したことを特徴とする磁気素子。

IPC (3件)：

H01L 43/00 ,  C23C 14/08 ,  H01L 43/10

FI (3件)：

H01L 43/00 ,  C23C 14/08 N ,  H01L 43/10