特許
J-GLOBAL ID：200903026388821196
ナノSiC焼結体及びその製造方法
出願人/特許権者：
住友石炭鉱業株式会社
,
,
住友石炭鉱業株式会社 について
代理人 (6件)： 社本 一夫 , 増井 忠弐 , 小林 泰 , 千葉 昭男 , 富田 博行 , 内田 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-194890
公開番号（公開出願番号）：特開2004-035327
出願日： 2002年07月03日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】ナノ構造を有するSiC焼結体及びそのような焼結体を製造する新規な製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、ナノSiC焼結体の製造方法に関する。この製造方法は、50nm以下の平均粒径を有するSiC粒子及び不可避不純物から成る粉末を得る工程と、前記SiC及び不可避不純物から成る粉末を所望量所望の焼結型内に充填する工程と、前記焼結型内に充填された粉末をパルス通電加圧焼結法にて焼結する工程と、を備え、前記焼結を、焼結圧力10MPaないし100MPaの範囲内の加圧下で、100°C/分ないし300°C/分の範囲内の昇温速度で、かつ1600°Cないし2000°Cの範囲内の焼結温度に昇温させて行うことにより相対密度60%ないし99%のナノSiC焼結体を得るようになっている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
ナノSiC焼結体の製造方法において、
50nm以下の平均粒径を有するSiC粒子及び不可避不純物から成る粉末を得る工程と、
前記SiC及び不可避不純物から成る粉末を所望量所望の焼結型内に充填する工程と、
前記焼結型内に充填された粉末をパルス通電加圧焼結法にて焼結する工程と、を備え、前記焼結を、
焼結圧力10MPaないし100MPaの範囲内の加圧下で、100°C/分ないし300°C/分の範囲内の昇温速度で、かつ1600°Cないし2000°Cの範囲内の焼結温度に昇温させて行うことにより相対密度60%ないし99%のナノSiC焼結体を得ることを特徴とするナノSiC焼結体の製造方法。
IPC (5件)：
FI (5件)：
Fターム (16件)：
4G001BA22
, 4G001BB22
, 4G001BC01
, 4G001BC13
, 4G001BC42
, 4G001BC52
, 4G001BC55
, 4G001BC63
, 4G001BD02
, 4G001BD03
, 4G001BD12
, 4G001BD13
, 4G001BD37
, 4G001BE14
, 4G001BE22
, 4G001BE33
引用特許：
出願人引用 (4件)
-
炭化ケイ素焼結体の製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平5-175064 出願人：出光マテリアル株式会社 -
多孔質炭化珪素焼結体およびその製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平11-330851 出願人：平井敏雄, 住友石炭鉱業株式会社 -
特開昭61-266356
引用文献：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (1件)
前のページに戻る
Copyright (c) 2009 Japan Science and Technology Agency. All Rights Reserved