特許
J-GLOBAL ID：200903026396552617
超薄型半導体装置の製造方法および製造装置、並びに超薄型の裏面照射型固体撮像装置の製造方法および製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-299563
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134672
出願日： 2002年10月11日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】支持基板に絶縁層を介して形成された半導体層を利用し、半導体層の支持基板からの分離性能を向上させて生産性および品質を向上可能な超薄型半導体装置並びに超薄型の裏面照射型固体撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】支持基板20に多孔質層等の剥離用層21、第2半導体層22、絶縁層23、第1半導体層12が積層された基材を形成し、第1半導体層12に固体撮像センサ部および当該固体撮像センサ部に接続する突起状の接続電極36を形成し、各固体撮像デバイスに分割する分割線に沿って、剥離用層21に達する切削溝Sを形成し、切削溝S内を充填して第1半導体層12を被覆し、接続電極36を露出させる樹脂保護膜40を形成し、剥離用層21を境界に支持基板20を剥離し、切削溝Sに充填した樹脂保護膜40に沿って第2半導体層22側から切断して、各固体撮像デバイスに分割する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
種子基板に第1多孔質半導体剥離層を介して第1単結晶半導体層を形成する工程と、
第2多孔質半導体剥離層を介して第2単結晶半導体層が形成された支持基板に、絶縁層を介して前記第1単結晶半導体層側から前記種子基板を貼り合わせる工程と、
前記第1多孔質半導体剥離層を境界に前記種子基板を分離する工程と、
前記第2多孔質半導体剥離層を境界に前記支持基板を分離して、前記絶縁層上に形成された前記第1単結晶半導体層を得る工程と
を有する超薄型半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 D
, H01L27/14 C
4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA31
, 4M118CA32
, 4M118CA33
, 4M118FB09
, 4M118GA02
, 4M118HA25
