特許

J-GLOBAL ID：200903026401221985

半導体基板および半導体発光素子およびその作製方法

発明者： 岩田 浩和 ,  皿山 正二
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371119
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189531
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 高品質のGaN系の半導体基板および半導体発光素子およびその作製方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板101上にGaN低温バッファー層102,GaN層103,SiO2からなる選択成長マスク104が順次形成された第一の基板上に、GaN厚膜106が積層された構造となっている。GaN厚膜106については、MOCVD法により、開口部105で露出したGaN層103の表面に選択成長させた後、さらに成長を続け、選択成長マスク104表面上にも横方向へ成長させている。

請求項（抜粋）：

GaNが直接成長しない領域に囲まれて孤立して存在するGaNが選択的に成長する領域が少なくとも一つ形成された第一の基板上に、GaNが結晶成長された半導体基板において、GaNが選択的に成長する領域から成長したGaNが横方向にも成長し、GaNが直接成長しない領域表面上にも成長していることを特徴とする半導体基板。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00 C

Fターム (14件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA31 ,  5F073DA35