特許

J-GLOBAL ID：200903026403447514

高速素子実装用回路基板の製造方法

発明者： 烏野 ゆたか ,  高橋 良郎 ,  山下 俊光 ,  井口 泰男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-167288
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226243
出願日： 1991年07月09日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 高速素子実装用回路基板の製造において、試料間および基板内の膜厚のばらつきが少なく、かつ大きな膜厚の絶縁層の形成を可能にする。【構成】 感光性を有するポリイミド樹脂12にフォトリソ工程によりパターン形成する際に、ポリイミド樹脂12の上層に、ポリイミド樹脂12と同型のフォトレジスト13、すなわちポリイミド樹脂12がポジ型の感光基を有している場合にはポジ型のフォトレジスト13、またポリイミド樹脂12がネガ型の感光基を有している場合にはネガ型のフォトレジスト13を形成し、この両層を同時に露光し、その後、フォトレジスト13とポリイミド樹脂12を現像するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

感光性ポリイミド樹脂の現像方法を用いた高速素子実装用回路基板の製造方法において、(a)感光性を有するポリイミド樹脂層上に同型の感光特性を有するフォトレジスト層を形成し、(b)該二層を同時に露光し、フォトレジストとポリイミド樹脂を現像することを特徴とする高速素子実装用回路基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  H01L 23/12 301 ,  H05K 3/00 ,  H01L 21/312