特許

J-GLOBAL ID：200903026408613145

導電用バンプの製造方法

発明者： 西森 尚 ,  村山 恵二 ,  中村 光佐 ,  蒲 保典
出願人/特許権者： 田中貴金属工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-079518
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250500
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 側面の金属膜の結晶粒が粗大化することなく、従って、金属膜の脆化、接合強度が低下することのない導電用バンプの製造方法を提供する。【構成】 半導体素子の電極パッド上に、感光製ポリイミドを塗布し、乾燥、露光、現像、キュアして、ポリイミドバンプを形成した後、そのバンプの表面に複数層の金属膜をスパッタリングにより形成するに於いて、スパッタリングの都度冷却し、断続的、間欠的に複数層の金属膜を形成することを特徴とする導電用バンプの製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体素子の電極パッド上に、感光性ポリイミドを塗布し、乾燥、露光、現像、キュアして、ポリイミドバンプを形成した後、そのバンプの表面に複数層の金属膜をスパッタリングにより形成するに於いて、スパッタリングの都度冷却し、断続的、間欠的に複数層の金属膜を形成することを特徴とする導電用バンプの製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/92 604 C ,  H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/92 604 S