高効率間接遷移型半導体紫外線発光素子

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-114981
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078611
出願日： 2007年04月25日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：

【課題】間接遷移型半導体でありながら直接遷移型半導体と同程度の内部量子効率を持つ紫外線発光素子を提供する。【解決手段】励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層あるいはpn接合による活性領域を形成し、活性層あるいは活性領域に電流注入する電極を有する内部量子効率が10%以上であることを特徴とする発光素子。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層あるいはpn接合による活性領域を形成し、活性層あるいは活性領域に電流注入する電極を有する内部量子効率が10%以上であることを特徴とする発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 A

Fターム (14件)：

5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041CA02 , 5F041CA12 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041CA74 , 5F041CA93 , 5F041CB11 , 5F041FF11 , 5F041FF16

引用特許：

審査官引用 (10件)

ダイヤモンド高輝度紫外線発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-236938 出願人：東京瓦斯株式会社
ダイヤモンド紫外光発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-368095 出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
ダイヤモンド半導体およびダイヤモンド半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-089516 出願人：経済産業省産業技術総合研究所長, 大串秀世, 竹内大輔, 梶村皓二

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