特許
J-GLOBAL ID：200903026411807210
光学活性エポキシドの製造法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-293057
公開番号（公開出願番号）：特開平7-145157
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【構成】一般式で示される光学活性サレンマンガン錯体および3級アミンもしくはそのN-オキシドの存在下に、オレフィンに過酸化水素を反応させることからなる一般式で示される光学活性エポキシドの製造方法【効果】容易に、効率よく、光学純度にもすぐれた光学活性エポキシドを製造することができる。
請求項（抜粋）：
一般式 化3(式中、R1はイソプロピル基、s-ブチル基、t-ブチル基またはフェニル基を表わし、R2、R3およびR4は同一または相異なって水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、ハロゲン原子または炭素数1〜4のアルコキシ基を表わし、R5およびR6はそのいずれかが水素原子を表し、残りがハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基もしくは炭素数1〜4のアルコキシ基で置換されていてもよいフェニル基、またはR5またはR6どうしで結合して環を形成していてもよい炭素数1〜4のアルキル基を表わし、Xはアシロキシ基、ハロゲン原子、トシルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ヘキサフルオロホスフェート、または3級アミンもしくはそのN-オキシドを表わす。)で示される光学活性なサレンマンガン錯体および3級アミンもしくはそのN-オキシドの存在下に、一般式 化2(式中、Arは炭素数1〜4のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数1〜4のアシロキシ基もしくはシアノ基で置換されていてもよいフェニル基を表わし、R7およびR8は同一または相異なって水素原子、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシカルボニル基を表わす。但し、R7およびR8がともに炭素数1〜4のアルコキシカルボニル基であることはなく、また、Arのオルト位に炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基が置換している場合には、その置換基がR8と結合して環を形成していてもよい。)で示されるオレフィンに、過酸化水素を反応させることを特徴とする一般式 化1(式中、Ar、R7およびR8は前記と同じ意味を示し、*1および*2は不斉炭素原子であることを示す。ただし、R7とR8が同一である場合には*2は不斉炭素原子ではない。)で示される光学活性エポキシドの製造方法。
IPC (5件)：
C07D301/12
, B01J 31/22
, C07D303/02
, C07D303/16
, C07B 61/00 300
