特許

J-GLOBAL ID：200903026412451508

ビアホール形成方法

発明者： 渡邊 勲 ,  作山 誠樹 ,  谷 元昭 ,  宮原 昭一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-006097
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190545
出願日： 1992年01月17日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 本発明は,基板上の感光性耐熱樹脂等の絶縁樹脂膜に導体回路を形成し, 多層化して薄膜多層回路を形成する場合の, 絶縁樹脂膜相互の上下の配線パターンとの導通をとるためのビアホールの形成方法に関し,配線導体層が均一に被着し易い正テーパーを持った形状のビアホールの形成を目的とする。【構成】 基板1上の薄膜回路用感光性耐熱性樹脂膜2への正テーパー付きビアホール7の形成において,感光性耐熱樹脂膜2の露光時に,ビアホール7の底部8の最小径の部分は完全に遮光した開口パターン4を有し,ビアホール7の上縁9までの側壁の傾斜部分10は,露光量が徐々に増加するマスクパターン5を有するガラスマスク3を使用するように構成する。

請求項（抜粋）：

基板(1) 上の薄膜回路用感光性耐熱性樹脂膜(2) への正テーパー付きビアホール(7) の形成において,該感光性耐熱樹脂膜(2) の露光時に,該ビアホール(7) の底部(8) の最小径の部分は, 完全に遮光した開口パターン(4) を有し,該ビアホール(7) の上縁(9)までの側壁の傾斜部分(10)は,露光量が徐々に増加するマスクパターン(5) を有するガラスマスク(3) を使用することを特徴とするビアホール形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/90

FI (3件)：

H01L 21/88 F ,  H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 361 V