特許
J-GLOBAL ID：200903026416234153
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-299441
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151422
出願日： 1992年11月10日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】多層配線構造の半導体装置において、微細で且つ半導体基板から剥れない配線を形成する方法を提供する。【構成】層間絶縁膜としてのBPSG膜5に微細な配線用溝6を形成した後、熱処理により溶融した配線材料(Al系合金8)を配線用溝6に埋設することにより、微細で且つ半導体基板1から剥れない配線を形成する。
請求項（抜粋）：
多層配線構造の半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜形成後、前記層間絶縁膜に配線用溝を形成する工程と、前記配線用溝の側壁に絶縁膜を形成する工程と、配線材料を被着する工程と、配線用溝以外に被着した前記配線材料を除去する工程と、熱処理により配線用溝に被着した前記配線材料を溶融し、配線用溝内に埋設する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
