特許

J-GLOBAL ID：200903026417157756

プラズマ処理方法

発明者： 奧村 智洋 ,  鈴木 直樹 ,  宝珍 隆三
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-003142
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208972
出願日： 1993年01月12日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 プラズマエッチング方法及びプラズマクリーニング方法において、特に相対向する電極間距離が小さい場合、CF4を含む混合ガスを用いてガスプラズマを発生させるときに生じやすい異常放電を抑制する。【構成】 エッチングガス(クリーニングガス)として用いるCF4を含む混合ガスに、SF6、C2F6、NF3のうち少なくともひとつを含む混合ガスを添加することにより、ガスプラズマを発生させるときに生じやすい異常放電を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

真空容器内に2つの電極を有し、前記2つの電極間の距離が、前記2つの電極のうち直径(電極形状が円形でない場合は電極の対角線の長さ)が小さい方の電極の直径(電極形状が円形でない場合は電極の対角線の長さ)の1/15以下であるプラズマ処理装置において、前記真空容器内にCF4を含む混合ガスを導入し、前記2つの電極間に高周波電力を印加してガスプラズマを発生させるプラズマ処理方法であって、前記CF4を含む混合ガスに、SF6、C2F6、NF3のうち少なくともひとつを含む混合ガスを添加することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 341

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭49-034126
  
• 特開昭49-020926
  
• 特開昭58-095085
  
• 特公昭60-014753