SIM像の観察方法と二次イオン検出器

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-321756
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168692
出願日： 1992年12月01日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】対称性良いSIM像観察方法とそれを観察するための小型化されたイオン検出器を得ること。【構成】集束荷電粒子ビーム2を被観察試料3に照射し、試料面3から放出される二次イオン4を試料面上に左右対称に配置された小型化したイオン検出器1で検出することにより、対称性良くSIM像を得る。イオン検出器1としてイオン-電子変換メッシュ電極、対向面電極、傾斜面電極、円錐形電極等を用いる。

請求項（抜粋）：

観察試料面を走査する集束荷電粒子ビームと、試料面から放出された二次イオンの発生強度を電気信号として捉えるイオン検出器によりSIM像を観察する方法において、前記走査集束荷電粒子ビーム軸に対して対称的に複数のイオン-電子変換型イオン検出器を配置すると共に、前記イオン-電子変換型イオン検出器を構成する荷電粒子制御メッシュ電極を介して、試料面から放出された二次イオンを選択的に入射させ、これを加速してイオン-電子変換電極に衝突させて二次電子を放出させ、これをシンチレータと光電子増倍管とからなる二次電子検出器で計測することにより、前記観察像の左右の対称性を保ちながら捉えるようにして成るSIM像の観察方法。

IPC (2件)：

H01J 37/244 , H01J 37/28

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平4-276509
特開昭62-190641
特開昭49-066395

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