特許
J-GLOBAL ID：200903026433499713
移相器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055854
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250963
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】 小型で、周波数特性の小さい移相器を得る。【構成】 インダクタもしくはキャパシタを並列に装荷したFETを、各FETのソース電極とドレイン電極とを接続して配置し、これらFETのゲート電極に印加するバイアス電圧を制御してFETのオン状態とオフ状態とを切換えることにより、インダクタ及びキャパシタより構成される位相遅れ回路と位相進み回路とを切換えて位相を行う。
請求項（抜粋）：
ドレイン電極とソース電極間に第1のキャパシタを装荷した第1のFET(電界効果トランジスタ)に、ドレイン電極とソース電極間に第1のインダクタを装荷した第2のFETが、ドレイン電極及びソース電極を接続端子として直列に接続された第1の直列回路と、ドレイン電極とソース電極間に第2のキャパシタを装荷した第3のFETに、ドレイン電極とソース電極間に第2のインダクタを装荷した第4のFETが、ドレイン電極及びソース電極を接続端子として直列に接続された第2の直列回路とを入出力間を結ぶ主線路に対して直列に接続すると共に、ドレイン電極とソース電極間に第3のキャパシタを装荷した第5のFETに、ドレイン電極とソース電極間に第3のインダクタを装荷した第6のFETが、ドレイン電極及びソース電極を接続端子として直列に接続された第3の直列回路を、前記第1の直列回路と第2の直列回路の接続点に、入出力間を結ぶ主線路に対して並列接続してT型回路を構成し、前記第1から第6のFETの各々のゲート電極にバイアス電圧を印加する手段を具備したことを特徴とする移相器。
引用特許：
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