特許
J-GLOBAL ID：200903026436580155
高飽和磁束密度軟磁性膜
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-095877
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090027
出願日： 1991年04月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、従来よりも保持力の低い磁性膜を提供すること及び高周波域での渦電流損失の低い磁性膜を提供すること及び高い熱的安定性を持つ磁性膜を提供することを目的とする。【構成】 本発明はFe<SB>x </SB>M<SB>Y </SB>O<SB>z </SB>Q<SB>w </SB>(ただしMは、ZrとHfの内、1種以上の元素を示し、QはCとNの内、1種以上を示し、<SB>X</SB>,<SB>Y</SB>,<SB>Z</SB>,<SB>W</SB>は各々原子%を示す。)の組成式で示され、前記<SB>X</SB>,<SB>Y</SB>,<SB>Z</SB>,<SB>W</SB>が、70≦<SB>X</SB><96、1≦<SB>Y</SB>≦12、3≦<SB>Z</SB>≦25、<SB>W</SB>≦26、<SB>X</SB>+<SB>Y</SB>+<SB>Z</SB>+<SB>W</SB>=100なる組成よりなる関係を満足するものである。【効果】 Cを添加したものは、従来よりも低い保磁力が得られ、耐熱性の低い樹脂を絶縁層として用いる薄膜磁気ヘッド用として好適である。Nを特定量添加したものは、高い熱的安定性を持つ。
請求項（抜粋）：
Fe<SB>x </SB>M<SB>Y </SB>O<SB>z </SB>Q<SB>w </SB>(ただしMは、ZrとHfの内、1種以上の元素を示し、QはCとNの内、1種以上を示し、<SB>x</SB>,<SB>Y</SB>,<SB>Z</SB>,<SB>W</SB>は各々原子%を示す。)の組成式で示され、前記<SB>x</SB>,<SB>Y</SB>,<SB>Z</SB>,<SB>W</SB>が、70≦<SB>x</SB><96、1≦<SB>Y</SB>≦12、3≦<SB>Z</SB>≦25、<SB>W</SB>≦26、<SB>x</SB>+<SB>Y</SB>+<SB>Z</SB>+<SB>W</SB>=100なる組成からなることを特徴とする高飽和磁束密度軟磁性膜。
IPC (2件)：
H01F 10/14
, C22C 38/00 303
