特許
J-GLOBAL ID：200903026436787795
多層構造電極の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-105514
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242588
出願日： 1997年04月23日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 多層構造電極において、反応用電極とバリア電極との間の界面密着強度が十分でなく、このため化合物半導体LDで発生した熱がヒートシンクの方向にうまく放散されず、化合物半導体LDでの熱劣化が生じることで化合物半導体LDの寿命が損なわれたり、電極の剥離する等の問題があった。【解決手段】 金属ターゲットを熔融して金属を蒸着させる方法により、第1電極の上に第2の電極を積層する多層構造電極の形成方法において、前記第1の電極層の形成が完了するまでに、前記第2の電極の金属ターゲットを脱ガス処理することによって、第1の電極と第2の電極との界面に不純物層を形成しないので、第1の電極と第2の電極との間の密着性を上げることができる。
請求項（抜粋）：
金属ターゲットを熔融して金属を蒸着させる方法により、第1の金属層上に第2の金属層を連続的に積層する工程を有する多層構造電極の形成方法において、前記第1の金属層の下部層を形成する工程と、前記第2の金属層の金属ターゲットの脱ガス処理を行う工程と、前記第1の金属層の上部層を形成する工程と、前記第2の金属層を形成する工程と、を順次行うことを特徴とする多層電極構造の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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