特許

J-GLOBAL ID：200903026439660788

プラズマ処理装置

発明者： 内山 信三
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-070440
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270599
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 誘電体窓107に温度分布を生じなくして熱応力を小さくする。【解決手段】 高周波電力をプラズマ処理室101へ誘導すると共にプラズマ処理室101の内外を仕切る誘導体窓107と、誘導体窓107を冷却する冷却手段116とを備えたプラズマ処理装置において、誘導体窓107と冷却手段116との間に、誘導体窓107の熱を冷却手段116へ伝達する伝達部材109を備える。

請求項（抜粋）：

高周波電力をプラズマ処理室へ誘導すると共に該プラズマ処理室の内外を仕切る誘導体窓と、前記誘導体窓を冷却する冷却手段とを備えたプラズマ処理装置において、前記誘導体窓と前記冷却手段との間に、該誘導体窓の熱を該冷却手段へ伝達する伝達部材を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/31 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/31 C ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B

Fターム (49件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA62 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA03 ,  4G075CA26 ,  4G075CA47 ,  4G075FB04 ,  4G075FB12 ,  4G075FB13 ,  4G075FC15 ,  4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA08 ,  4K030KA26 ,  4K030LA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004BC08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB10 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB37 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045BB20 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB03 ,  5F045EH03 ,  5F045EH11 ,  5F045EJ01 ,  5F045EJ09